Toshiba melancarkan dua muatan kuasa 80V N-saluran

Peranti dikatakan sesuai untuk aplikasi kuasa di mana operasi kerugian rendah adalah penting, termasuk penukaran ac-dc dan dc-dc di pusat data dan stesen pangkalan komunikasi serta peralatan pemanduan motor. 

Kedua-dua TPH2R408QM dan TPN19008QM memperlihatkan pengurangan sekitar 40% dalam rintangan sumber-saluran (RDS (ON)) berbanding dengan produk 80V yang berkaitan dalam proses terdahulu seperti U-MOSVIII-H, tuntutan Toshiba.

TPN19008QM mempunyai nilai RDS (ON) sebanyak 19mΩ (maks.) Manakala nilai TPH2R408QM adalah 2.43mΩ.

Syarikat itu mengatakan ia telah mengoptimumkan struktur peranti, meningkatkan perdagangan antara RDS (ON) dan ciri pengecasan pintu sehingga 15% dan perdagangan antara RDS (ON) dan caj output sebanyak 31%.

MOSFET terletak di dalam pakej gunung permukaan dan diberi nilai untuk voltan saliran-sumber 80V.

Mereka beroperasi pada suhu saluran sehingga 175ºC.

TPN19008QM dinilai untuk aliran saliran 34A dan ditempatkan dalam pakej TSON 3.3 × 3.3mm manakala TPH2R408QM diberi nilai untuk 120A dan ditempatkan dalam pakej SOP 5x6mm.